VPRQF-A3-20MPaS-4传感器-伟世德(在线咨询)
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电磁压力传感器

压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内,且有电流通过时,导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边,继而产生电压(霍尔电压)的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性,可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子(自由电子)之运动所造成。

  在导体上外加与电流方向垂直的磁场,会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集,从而在电子聚集的方向上产生一个电场,此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力,使得后来的电子能顺利通过不会偏移,此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。

  当磁场为一交变磁场时,霍尔电动势也为同频率的交变电动势,建立霍尔电动势的时间极短,故其响应频率高。常用霍尔元件的材料大都是半导体,包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、铟InAs)、锗(Ge)、GaAs)及多层半导体质结构材料。


压力传感器如何抗干扰:

静电屏蔽

根据电磁学原理,置于静电场中的密闭空心导体内部无电场线,其内部各点等电位。用这个原理,以铜或铝等导电性良好的金属为材料,制作密闭的金属容器,并与地线连接,把需要保护的电路置于其中,使外部干扰电场不影响其内部电路,反过来,内部电路产生的电场也不会影响外电路。这种方法就称为静电屏蔽。例如沧正压力传感器测量电路中,在电源变压器的一次侧和二次侧之间插入一个留有缝隙的导体,并把它接地,VPRQF-A3-20MPaS-4传感器,可以防止两绕组之问的静电耦合,这种方法就属于静电屏蔽。



压力传感器选型的5大影响因素

 压力

 也是的因素是压力。为确保正确的传感器选型,必须先 明确一些问题:压力测量范围多大、压力多少、系统过压概率 有多少。 在明确上述与您的应用紧密相关的问题后,

建议您继续查阅压力传感器的规格参数表并针对下列问题找到相应参数值:耐受压力(不 会降低传感器性能指标的作用压力)压力(会破坏传感器 膜片或外壳并引起泄漏的压力)。根据厂家的技术参数表可以在网 上很容易地找到这些问题的解答,但正规厂家一般都会有应用工程 师与您深入探讨应用要求。

 介质

 传感器的任何接液表面都必须与介质兼容,如机油、制动液、制冷 剂、液压油、海水、废水、自来水、氧气、压缩空气和氮气等。还要特别注意一些侵蚀性介质,如氨水、离子水、盐水、

氢气、酸和 航空煤油。另外,还要确保膜片、接头和焊缝都与介质兼容。这些 信息一般在产品参数表中都有说明,但厂家都会安排技术支持 人员帮助您解答可能遇到的其他问题。

 温度

 温度因素包括环境温度和过程介质温度。传感器能否在大部分环境 和过程介质温度下工作,这是一定要清楚的。当应用涉及到高温, 导致一些安装似乎很棘手甚至不可能时,建议用户咨询传感器厂家 寻求解决方案。比如,您的应用涉及到300°F的蒸汽,但您只能找 到工作温度不超过150°F的传感器。 这时可以在蒸汽管线和传感器之间跨接管道(甚至短至12英寸,具体取决于环境)来予以解决,这样高温就可以散发到大气中去了。



  





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